Threshold voltage instability in silicon carbide power MOSFET

Description: The present research aims to understand the influence of the charge trapping rate in Silicon Carbide (SiC) metal-oxide semiconductor-field-e↵ect-transistors (MOSFETs) which nowadays have special interest for high power applications. It’s very important the study of the reliability of this new generation of high power devices according to the applications such as solar inverters..
La presente investigación tiene como objetivo comprender la influencia de la tasa de captura de carga en transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC), que en la actualidad tienen un interés especial para aplicaciones de alta potencia. Es muy importante el estudio de la confiabilidad de esta nueva generación de dispositivos de alta potencia de acuerdo con las aplicaciones tales como inversores solares...

Topic: Nanoelectrónica -- Investigaciones -- Tesis y disertaciones académicas.
Materiales nanoestructurados.
Circuitos integrados.
Tecnología
Ingeniería electrónica